Toshiba propone il superreticolo sotto il cancello di trasferimento

La corrente scura ed i difetti bianchi del pixel inoltre sono detti per essere ridotti

La richiesta di brevetto del Toshiba US20150008482 “metodo di fabbricazione del dispositivo ed a semiconduttore di ciò„ da Motoyuki Sato dice che quello fare il superreticolo di SiGe nell'ambito del cancello di trasferimento può drasticamente ridurre l'influenza delle prese dell'interfaccia di SiO2/Si che potenzialmente possono bloccare i fotoelettroni durante il trasferimento.